最新的集成電路技術(shù)在蓄勢待發(fā)，開拓新的工業(yè)市場。現(xiàn)在的高電壓設(shè)備，如轉(zhuǎn)換器、放大器、交換機(jī)、復(fù)接器等，都朝著幾何尺寸減小的方向發(fā)展。Analog Devices推出的iCMOS，即“工業(yè)CMOS”改變了這個(gè)趨勢。這種新工藝技術(shù)可使亞微米制造的芯片電壓達(dá)30 V，如果選用漏極擴(kuò)展可將電壓提高到50 V。除了高壓MOS外，Analog Devices的iCMOS工業(yè)工藝技術(shù)還提供高壓互補(bǔ)雙極器件。該工藝的各種元件使片上集成度達(dá)到了新水平。iCMOS是一種完全模塊化的電子制造工藝，每一種器件的性能及堅(jiān)固性不是靠傳統(tǒng)的折衷集成方式能達(dá)到的。

iCMOS作為一種亞微米工藝，可將現(xiàn)代數(shù)字邏輯與高壓模擬元件集成在一起，以提高性能和集成度，降低功耗，所需電路板面積明顯小于前代高壓器件。

該工藝除了可顯著降低功耗外，還可提高單個(gè)芯片的性能、穩(wěn)定性及集成度，從而為工業(yè)產(chǎn)品提供更多的設(shè)計(jì)靈活性。iCMOS支持12-至16-位模數(shù)轉(zhuǎn)換(ADC)，可用軟件將輸入范圍調(diào)節(jié)為從+/-2.5 V至+/-10 V，功耗僅為現(xiàn)有方案的85%。

iCMOS數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)的性能在業(yè)界居領(lǐng)先地位，而尺寸比同級產(chǎn)品小30%。iCMOS復(fù)接器采用16引腳TSOPS封裝，導(dǎo)通電阻為3-至4-歐姆，比業(yè)界+/-15-V復(fù)接器的標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)通電阻降低了85%。

iCMOS的關(guān)鍵是開發(fā)一種提高門氧化物厚度的制造工藝，實(shí)現(xiàn)用傳統(tǒng)5V器件工藝生產(chǎn)高壓產(chǎn)品。

iCMOS使用電容陣列實(shí)現(xiàn)片上電壓衰減，與傳統(tǒng)電阻陣列信號調(diào)節(jié)相比，極大地降低了功耗和電路板面積。設(shè)計(jì)師們需要?jiǎng)?chuàng)造一種真正的可生產(chǎn)高低壓器件的模塊化工藝，擴(kuò)大應(yīng)用范圍，這就需要開發(fā)專門的取向附生和光刻掩膜，可與很多不同的配置無縫接合。

這個(gè)挑戰(zhàn)對雙極晶體管是非常重要的，因?yàn)樗麄儠?huì)對周圍器件產(chǎn)生影響。iCMOS克服了這個(gè)問題，確保器件的整體性能不會(huì)折衷。由于iCMOS采用不同的工藝技術(shù)，因而融成本經(jīng)濟(jì)和高度靈活的特點(diǎn)于一身。

iCMOS最突出的亮點(diǎn)是5-V CMOS和高壓CMOS能完成從基底及不同工藝中分離出來，這樣在單個(gè)iCMOS芯片中可提供多種電壓。比如，在混合信號器件中，一個(gè)采用"15 V基座偏壓的+/-15 V產(chǎn)品可提供標(biāo)準(zhǔn)5-V數(shù)字邏輯。

iCMOS可提供各種選擇：隔離、垂直PNP和NPN晶體管，均采用聚乙烯發(fā)射器結(jié)構(gòu)；每平方1000歐的可調(diào)整的高密度薄膜電阻陣列；標(biāo)準(zhǔn)poly-poly電容，可提供高壓和5 V CMOS；提供基于熔絲和ROM的存儲器功能和各種其它電阻、二極管及JFET。

iCMOS可混合并匹配元件和工作電壓，從而提高了靈活性，我們將用一些示例證明其靈活性。采用雙極晶體管有諸多原因，最主要是為了提高低偏置電壓放大器的匹配。

iCMOS采用兩套互補(bǔ)雙極工藝，一套采用16 V，NPN的ft(傳輸或切斷頻率)為6 GHz，PNP的ft為4 GHz，另一套為30 V，NPN和PNP的性能均達(dá)到約1 GHz。雙極還有利于為ADC及DAC提供卓越的參考、匹配和穩(wěn)定性能。

薄膜電阻的使用有助于提高工藝的精度和準(zhǔn)確性。它們的匹配度約達(dá)12位，最高可達(dá)16位，匹配度與設(shè)計(jì)師選擇的架構(gòu)有關(guān)。這些電阻的溫度和電壓系數(shù)比傳統(tǒng)多晶硅電阻小20倍。配合不當(dāng)與溫度和電壓的關(guān)系降低了十倍，因此，iCMOS可用于制造精度更高的DAC。

與此類似，iCMOS的標(biāo)準(zhǔn)poly-poly電容可生產(chǎn)開關(guān)電容濾波器等精密器件。其板載存儲器對那些需要在制造后進(jìn)行配置的產(chǎn)品特別重要，這樣可使用數(shù)字校正技術(shù)校準(zhǔn)非線性、偏置和高精度轉(zhuǎn)換器的增益。該工藝還可可用軟件切換輸入電壓范圍或其它參數(shù)，這樣給定的iCMOS器件可用于各種產(chǎn)品，極大地簡化了庫存和生產(chǎn)設(shè)計(jì)。

iCMOS的主要優(yōu)勢在于可利用小幾何工藝制造精密轉(zhuǎn)換器、放大器或其它需要處理工業(yè)級電壓的混合信號器件。

在過去工業(yè)用戶需要外部信號調(diào)節(jié)、偏置、運(yùn)算放大器及多個(gè)電源，才能實(shí)現(xiàn)iCMOS器件能達(dá)到的速度及功耗。以前生產(chǎn)30V器件的制造技術(shù)為3－5微米，在這類器件中增加數(shù)字功能會(huì)顯著增大器件尺寸。

iCMOS的出現(xiàn)徹底廢除了這種方法。先前28引腳SOIC封裝提供的功能現(xiàn)在可用16引腳TSSOP (薄形緊縮小輪廓封裝)或10引腳microSOIC封裝。

iCMOS還有諸多優(yōu)點(diǎn)，它可在單個(gè)器件中集成更多信號鏈，而不會(huì)影響性能。

該工藝的垂直PNP和NPN可提供給定功率下******的參考和低噪聲放大器，顯著降低通用器件的功耗。ADC采用高阻抗輸入，無需使用電阻陣列信號縮放，同樣能降低功耗。iCMOS復(fù)接器導(dǎo)通電阻低是其又一亮點(diǎn)。

iCMOS一般可用于工控、工廠自動(dòng)化和噪聲大的大型環(huán)境下的控制回路，信號范圍達(dá)+/-10 V。對這些產(chǎn)品而言，iCMOS的最突出優(yōu)勢在于集成信號鏈，簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

信號范圍為+/-5 V的通訊、自動(dòng)測試設(shè)備及醫(yī)療設(shè)備同樣也可以使用iCMOS，因此該工藝有助于降低功耗、縮小器件尺寸，提高性能。iCMOS是Analog Devices開發(fā)的最新制造工藝，可滿足各種用戶和產(chǎn)品的需求。