引言 基于開路電壓OCV的電量計DS2786在出廠時將默認的OCV特性和默認配置加載到EEPROM中。為了提高OCV電量計的精度并使DS2786適應特定的應用場合，必要時需對DS2796的EEPROM進行再編程。本文描述了如何對EEPROM進行編程及如何對已經(jīng)安裝好的電路板進行測試。 板極測試
下文給出了一個安裝電池包之前測試基于DS2786 OCV電路板的例子。圖1為電路板的電路原理圖，用到了DS2786的所有功能。圖中所有重要的測試點共7個都用帶圈數(shù)字標出。測試流程假定電路中的所有分立元件已經(jīng)過測試，因此，測試目的為確認線路連接，從而驗證安裝的電路板是否正確。
圖1. 必須驗證的電路節(jié)點
測試步驟1：測試初始化。該步驟的目的是確定電路板中是否存在直接短路，是否能進行通信。器件成功通信后可以讀取電壓寄存器讀數(shù)，以驗證SDA和SCL連接節(jié)點1、Pack+和VDD引腳之間的連接節(jié)點2，以及Pack-和VSS引腳節(jié)點3之間的連接是否正確。此外，通過讀取電壓寄存器并確認測試是否有效，可以驗證VIN引腳節(jié)點4連接是否正確。
Pack+與Pack-間接4.0V電源。
等待880ms。 等待電壓轉(zhuǎn)換。 讀電壓寄存器： 2字節(jié)。
若未發(fā)生通信表明電路安裝失敗。
若電壓讀數(shù)不正確表明電路安裝失敗。
測試步驟2：驗證SNS 節(jié)點5。通過有效的電流測試可驗證SNS引腳連接是否正確。
Pack+與Pack-間接4.0V電源。
Pack-與系統(tǒng)VSS間電流為1.0A。
等待880ms。 等待電流轉(zhuǎn)換
讀電流寄存器： 2字節(jié)。
若電流讀數(shù)不準確表明電路安裝失敗。
測試步驟3：驗證輔助輸入AIN0和AIN1連接節(jié)點6。通過有效的電阻測量可驗證AIN0和AIN1引腳連接是否正確。這一步是可選的。
在PackID端與Pack-間接10kΩ電阻。
在Therm端與Pack-間接10kΩ電阻。
Pack+與Pack-間接4.0V電源。
等待880ms。 等待輔助輸入轉(zhuǎn)換。
讀AIN0和AIN1： 4字節(jié)。
若AIN0/AIN1讀數(shù)不準確表明電路安裝失敗。
測試步驟4：驗證VPROG并對EEPROM編程節(jié)點8。需要提供一個測試點用于連接編程電壓至VPROG引腳，以對DS2786的EEPROM進行編程。通過寫EEPROM和復制EEPROM可以驗證該連接是否正確，并驗證EEPROM是否已更新。EEPROM中包括了電流失調(diào)偏置寄存器COBR，因此在編程EEPROM之前校準COBR是有益的。
Pack+與Pack-間接4.0V電源。
校準COBR。 若希望進行COBR校準，可以參看下文的詳細說明。
寫參數(shù)EEPROM區(qū)： 32字節(jié)。
將參數(shù)復制到EEPROM。
等待14ms。 等待復制EEPROM。
向參數(shù)EEPROM區(qū)寫0xFFh： 31字節(jié)非存儲器地址0x7Dh＊。
從EEPROM中調(diào)用參數(shù)。
讀參數(shù)EEPROM區(qū)： 32字節(jié)。
如果從EEPROM中讀取到的32個字節(jié)都無法與原先寫入的32字節(jié)相匹配，說明電路安裝失敗。
＊不要向存儲器地址7Dh寫入0xFFh，否則從地址將變化并且器件將停止響應當前從地址。
電流失調(diào)偏置寄存器的校準
通過電流失調(diào)偏置寄存器，可在+3.175mV至-3.2mV間調(diào)節(jié)DS2786電流測量結(jié)果，步長為25μV。COBR的出廠默認值為0x00h。以下例子列出了校準DS2786電流失調(diào)偏置寄存器的步驟：
給DS2786加電，確保檢測電阻中無電流。 向COBR中寫0x00h 存儲器地址0x60h。 等待880ms，直至下一個轉(zhuǎn)換周期到來。 讀電流寄存器。 根據(jù)實際需要，多次重復步驟3和步驟4，直至獲得平均電流讀數(shù)。 將平均電流讀數(shù)的相應值寫入COBR。 將COBR值復制到EEPROM 該步驟應與將所有值復制到EEPROM結(jié)合起來共同進行。
總結(jié)
要對組裝好的基于OCV電量計DS2786進行正確驗證，需要測試電路中的每一個焊點。測試步驟1、2和3可以合為一個步驟以縮短測試時間，尤其是可以縮短轉(zhuǎn)換延遲時間。
此外，測試期間對EEPROM編程可以提供更有效的測試流程，同時可以提供足夠的時間施加保存參數(shù)包括電流失調(diào)偏置至EEPROM所需的編程電壓。
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