開關(guān) 電源 、斬波 電源 、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史,幾乎已替代一切其它功率 器件 ,例SCR、 GTO 、GTR、MOSFET,雙極型達林頓管等,目今功率可高達1MW的低頻應(yīng)用中,單個元件電壓可達4.0KV(PT結(jié)構(gòu))—6.5KV(NPT結(jié)構(gòu)),電流可達1"/>

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功率模塊IGBT、IPM、PIM的性能及使用時有關(guān)問題的綜述


,避免產(chǎn)生耦合噪聲。
    
    H、 用光耦器來作隔離柵極驅(qū)動信號,其最小共模抑制比要在10.000V/μS,柵極回路除上述外而防止柵極電路出現(xiàn)高壓尖峰,一般在G、E極間并一個電阻Rge,再并二只反串的穩(wěn)壓二極管,以使工作更可靠、安全、有效。
    
    Rge值在1000-5000歐之間,見圖4。
    
    12 dv/dt及短路保護
    
    在IGBT關(guān)斷時,柵極要加反向偏置,由于柵極的阻抗很大,該電流令Vge增加,惡劣條件下可達閾值電壓時,則IGBT將開通,導(dǎo)致上下臂同時開通使橋臂每一相短路,為防止這現(xiàn)象的發(fā)生要注意以下幾點:
    
    A、 在斷態(tài)時要加足夠的負柵極電壓值至少-5V。
    
    B、 在關(guān)斷時Rg為較低值(可見表4)。
    
    C、 柵極電路的電感Lg應(yīng)降至最低。
    
    當(dāng)短路情況出現(xiàn)時,IGBT要繼續(xù)維持在短路安全工作區(qū)內(nèi),其方法有:
    
    A、電流傳感器 B、欠飽和式但必須能測出短路到關(guān)斷IGBT時間在10μs之內(nèi),常用有三種方法:
    
    A、 控制關(guān)斷—減少柵極電壓(有分段或斜坡減少)增加溝道內(nèi)阻。
    
    B、 Vge箝位—Vge在18V以下,對小功率器件,可在G極與E極之間用齊納二極管箝位。
    
    C、 減少tw—縮短短路持續(xù)時間,但將使關(guān)斷電流增大。
    
    13 使用注意事項
    
    A、 柵極與任何導(dǎo)電區(qū)要絕緣,以免產(chǎn)生靜電而擊穿,所以包裝時將G極和E極之間要有導(dǎo)電泡沫塑料,將它短接。裝配時切不可用手指直接接觸,直到G極管腳進行永久性連接。
    
    B、 主電路用螺絲擰緊,控制極G要用插件,盡可能不用焊接方式。
    
    C、 裝卸時應(yīng)采用接地工作臺,接地地面,接地腕帶等防靜電措施。
    
    D、 儀器測量時,將100Ω電阻與G極串聯(lián)。
    
    E、 要在無電源時進行安裝。
    
    F、 焊接G極時,電烙鐵要停電并接地,選用定溫電烙鐵最合適。當(dāng)手工焊接時,溫度260℃±5℃,時間(10±1)秒,松香焊劑。波峰焊接時,PCB板要預(yù)熱80℃—105℃,在245℃時浸入焊接3-4秒,松香焊劑。
    
    14 IGBT的串并聯(lián)
    
    A、 并聯(lián)目的是增大使用的工作電流,但器件要匹配,每塊Vce之差 < 0.3V,還要降流使用,對600V的降10%Ic,1200-1400V的降15%Ic,1700V的降20%Ic,這組值指≥200A的模塊,并要取飽和壓降相等或接近的模塊才行。柵控電路要分開,除靜態(tài)均流外,還有動態(tài)均流問題,并使溫度相接近,以免影響電流的均衡分配,因IGBT是負阻特性的器件
    
    B、 串聯(lián)的目的是增高使用的工作電壓,其要求比并聯(lián)更高,主要是靜態(tài)均壓及動態(tài)均壓問題,尤其是動態(tài)均壓有一定難度。成都佳靈公司提出的容性母板技術(shù)(1+N)只串聯(lián)動態(tài)電壓箝位均壓方式已處于工業(yè)實驗階段。若動態(tài)均壓不佳,要造成串聯(lián)臂各器件上的Vce電壓不等,造成一個過壓影響同一臂一串電擊穿。
    
    C、 總之IGBT的串并聯(lián)應(yīng)盡量避免,不要以低壓小電流器件,通過串并聯(lián)企圖解決高電壓大電流,這樣做法往往失得其反,而器件增多可靠性更差,電路亦復(fù)雜化等,在不得而已的條件下,要慎重。目今單個IGBT的電壓或電流基本能滿足用戶的需要,隨著時代發(fā)展電路的改進,將會有更高電壓,更大電流的功率器件問世,這是必然的。
    
    15 智能IPM模塊
    
    智能IPM模塊問世已有十年之久,目今有110KW的模塊,可供變頻器選用。它是先進的混合集成功率器件,將IGBT、驅(qū)動電路、保護電路集成化,因此具有高速、高效、低耗、和優(yōu)化門極驅(qū)動及保護電路,欠壓鎖定,用電流傳感功能芯片,對過流和短路保護,更為優(yōu)越的,整體的可靠性大為提高。IPM有四種電路形式:單管封裝(H),雙管封裝(D),六合一封裝(C),七合一封裝(R)。由于IPM通態(tài)損耗和開關(guān)損耗都比較低,可使散熱器減小,因而整機尺寸亦可減小,又有自保護能力,減低了在開發(fā)和使用中過載情況下?lián)p壞的機率,國內(nèi)外55KW以下的變頻器多數(shù)采用IPM模塊,亦是理所當(dāng)然的。結(jié)溫還是125℃,柵控13.5-16.5V之間,就可安全地工作。IPM有:短路保護(SC),過流保護(OC),欠壓保護(UV),過熱保護(OT),過壓保護(OV)等較完全的。有表3可供選用參考。
     
    16 變頻專用功率集成模塊PIM
    
    最近5年內(nèi)問世的,專供變頻器主電路使用的綜合集成功率器件。例德國慕尼黑TYCO公司生產(chǎn)的2.5-66A 1200V系列,4-75A 600V系列,它包含了單相/三相輸入整流橋+制動單元(或PFC功率因數(shù)單元)+六單元IGBT+NTC溫度監(jiān)測。但不包括驅(qū)動電路。有的專業(yè)廠例富士等將整流、制動、IGBT、保護、驅(qū)動、控制全部一體化集成模塊,那樣使用更方便、安全、可靠。其特點是:
    
    A、集成全部器件及電路;B、體積小,功率大,損耗低,較穩(wěn)定;C、優(yōu)化內(nèi)部布線,減少寄生噪音;D有完全的自保護電路,具有快速、靈敏;E、唯一不足的是當(dāng)其中有一個器件壞時,將造成整體的報損,它不同于分離方式模塊,只局限于損壞的更換就可。
    
    17 對IGBT的Vge與Vce的加壓次序
    
    眾所周知變頻器內(nèi)部的測量電路、保護電路、驅(qū)動電路、轉(zhuǎn)換電路、隔離電路、CPU、柵極電路等,所用的電子器件,例TTL、COMS、運放、光耦等都由電源 target=_blank>開關(guān)電源提供所需的不同電壓值,對IGBT來講Vge是由電源 target=_blank>開關(guān)電源提供±5-15V電壓,但Vce是由主電路經(jīng)三相整流橋濾波后的DC電源(P N )提供的,為確保IGBT的使用安全及誤導(dǎo)通,故對Vge與Vce加電壓次序有要求。必須是先加Vge且待穩(wěn)定后(截止偏壓-15V,導(dǎo)通偏壓+15V),再可加Vce。切莫當(dāng)G極懸空或未穩(wěn)定時就加Vce(幾百一千伏),因為Cgc極間的耦合電容就可將IGBT誤導(dǎo)通,以致過高的dv/dt造成電擊穿而損壞。為避免上述現(xiàn)象的發(fā)生一般用延時電路方法,使Vce延時Vge約0.2秒,這樣大大的提高了使用上安全性、可靠性,尤其是中、大功率的器件更應(yīng)注意的。
    
    18 結(jié) 論
    
    IGBT的使用綜合性能是非常優(yōu)越的,決非其它功率器件所能替代的,因此成為當(dāng)今逆變電路DC/AC中主要器件,亦是理應(yīng)所在的。它的弱點是過壓、過熱、抗沖擊、抗干擾等承受力較低,因此在使用時必須正確選擇器件的容量,要有完全嚴(yán)格的保護電路,按產(chǎn)品技術(shù)性能規(guī)定來正確選定各種參數(shù)值和保護值,是件非常重要的事,切莫粗枝大葉,否則后患無窮,造成經(jīng)濟損失。只要精心設(shè)計,規(guī)范運行,是能確保使用中安全性和可靠性,這亦是無疑的。
    
    主要參考資料:
    
    [1] 日本三菱、富士、日立、東芝、NEC的IGBT應(yīng)用手冊。
    
    [2] 德國西門子、西門康IGBT應(yīng)用手冊。
    
    [3] 德國慕尼黑TYCO公司產(chǎn)品介紹。
    
    [4] 調(diào)速用變頻器及配套設(shè)備選用指南。
    
    [5] 實用電源技術(shù)手冊—電源器件手冊。
    
    [6] 變頻器世界有關(guān)器件IGBT專題文章。
    
    [7] 變頻器世界2001年第七期張選正文章“變頻器載波頻率值正確選擇的依據(jù)”。
    
    [8] 佳靈GY系列高壓變頻器產(chǎn)品使用手冊。

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